·意法半導(dǎo)體和三安光電將成立一家合資制造廠，進(jìn)行8英寸碳化硅 （SiC）器件大規(guī)模量產(chǎn)
·該合資廠將有助于滿足中國汽車電氣化、工業(yè)電力和能源等應(yīng)用對意法半導(dǎo)體 SiC器件日益增長的需求
·三安光電還將單獨(dú)建造一個(gè)8英寸 SiC襯底制造廠，以滿足該合資廠的襯底需求
(資料圖)
2023年6月7日，中國 －－ 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM），和中國化合物半導(dǎo)體龍頭企業(yè)（涵蓋LED、碳化硅、光通信、RF、濾波器和氮化鎵等產(chǎn)品）三安光電（上海證券交易所代碼：600703）今日宣布，雙方已簽署協(xié)議，將在中國重慶建立一個(gè)新的8英寸碳化硅器件合資制造廠。新的SiC制造廠計(jì)劃于2025年第四季度開始生產(chǎn)，預(yù)計(jì)將于2028年全面落成，屆時(shí)將更好地支持中國的汽車電氣化、工業(yè)電力和能源等應(yīng)用日益增長的需求。同時(shí)，三安光電將利用自有SiC襯底工藝，單獨(dú)建造和運(yùn)營一個(gè)新的8英寸 SiC襯底制造廠，以滿足該合資廠的襯底需求。
該合資廠將采用ST的SiC專利制造工藝技術(shù)，專注于為ST生產(chǎn)SiC器件，作為ST的專用晶圓代工廠以滿足其中國客戶的需求。
該合資廠全部建設(shè)總額預(yù)計(jì)約達(dá)32億美元，其中未來5年的資本支出約為24億美元，資金來源包括來自意法半導(dǎo)體和三安光電的資金投入、來自重慶政府的支持以及由合資企業(yè)向外貸款。
三安光電首席執(zhí)行官林科闖表示：“該合資廠的成立將有力推動(dòng)SiC器件在中國市場的廣泛采用。作為一家國際知名的高品質(zhì)SiC晶圓代工服務(wù)公司，三安還將新建一個(gè)SiC襯底工廠，專門為新成立的合資廠提供SiC襯底。這是三安光電朝著成為SiC專業(yè)晶圓代工廠這一目標(biāo)邁出的重要一步。隨著新合資廠的成立和新SiC襯底工廠的產(chǎn)能擴(kuò)張，我們有信心三安將繼續(xù)在SiC專業(yè)晶圓代工市場占據(jù)優(yōu)勢地位”。
意法半導(dǎo)體總裁兼首席執(zhí)行官Jean－Marc Chery表示：“中國的汽車和工業(yè)領(lǐng)域正在朝著電氣化全速前進(jìn)，在這個(gè)市場上，ST已經(jīng)成功拿下了許多客戶項(xiàng)目。對ST來說，與中國本地的重要合作伙伴一起成立一個(gè)專門的晶圓廠，這將幫助我們以最高效的方式滿足中國客戶不斷增長的需求。將三安光電未來的8英寸襯底制造廠、雙方新成立的前端合資制造廠、以及ST在中國深圳現(xiàn)有的后端制造廠相結(jié)合，ST將有能力為我們的中國客戶提供一個(gè)完全垂直整合的SiC價(jià)值鏈。此舉將成為繼ST在意大利和新加坡的持續(xù)重大投資外，進(jìn)一步擴(kuò)大其全球SiC制造業(yè)務(wù)的重要一步。新合資廠將助力ST實(shí)現(xiàn)到2030年取得50億美元以上SiC營收這一目標(biāo)。這一舉措也與ST在2025－2027年實(shí)現(xiàn)200億美元以上的營收目標(biāo)以及我們之前向資本市場傳達(dá)的相關(guān)財(cái)務(wù)模式相契合。”
該項(xiàng)目的完成仍需監(jiān)管部門批準(zhǔn)。
關(guān)于三安光電
三安光電從事廣泛的化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品的研發(fā)和制造，包括碳化硅、氮化鎵、全系列可見光LED、光通信、RF、濾波器以及紅外、紫外線產(chǎn)品等。公司目前擁有中國最大的化合物半導(dǎo)體代工能力。
關(guān)于意法半導(dǎo)體
意法半導(dǎo)體擁有5萬名半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)造者和創(chuàng)新者，掌握半導(dǎo)體供應(yīng)鏈和先進(jìn)的制造設(shè)備。作為一家半導(dǎo)體垂直整合制造商（IDM），意法半導(dǎo)體與二十多萬家客戶、數(shù)千名合作伙伴一起研發(fā)產(chǎn)品和解決方案，共同構(gòu)建生態(tài)系統(tǒng)，幫助他們更好地應(yīng)對各種挑戰(zhàn)和新機(jī)遇，滿足世界對可持續(xù)發(fā)展的更高需求。意法半導(dǎo)體的技術(shù)讓人們的出行更智能，電源和能源管理更高效，物聯(lián)網(wǎng)和互聯(lián)技術(shù)應(yīng)用更廣泛。意法半導(dǎo)體承諾將于2027年實(shí)現(xiàn)碳中和。
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